Das Modell STW10N95K5 ist ein N-Kanal - MOSFET-Leistungsgerät von STMicroelectronics mit einer Nennspannung von 950 V und einer typischen Impedanz von 0,65 Ω. Dieses Produkt hat das Potenzial, die Energieeffizienz und Stabilität in eingebetteten Systemen zu verbessern, insbesondere für Hochspannungsschaltungen und Hochleistungsanwendungen.
Merkmale des Produkts
Der STW10N95K5 ist ein SuperMESHTM 5 - Leistungs-MOSFET im TO - 247 - Gehäuse. Seine wichtigsten Merkmale sind wie folgt:
- Nennspannung: 950V, geeignet für Hochspannungsschaltungen.
- Typische Impedanz: 0,65 Ω, verbessert den Stromfluss Effizienz.
- Maximaler Strom: 8A, um hohe Leistungsanforderungen zu erfüllen.
- Zener-Schutz: Der Zener-Schutz sorgt dafür, dass das Gerät auch bei Überspannung funktioniert.
Technische Details
Die technischen Details des STW10N95K5 sind wie folgt:
- Verpackung: TO - 247, bietet eine gute Wärmeableitung und mechanische Festigkeit.
- Betriebstemperatur: -40 °C ~ 150 °C, geeignet für eine breite Palette von Umgebungstemperaturen.
- Lagerbedingungen: -40 °C ~ 125 °C, um sicherzustellen, dass das Gerät während der Lagerung eine gute Leistung beibehalten kann.
Anwendungsszenarien
STW10N95K5 ist für eine breite Palette von Anwendungen in Embedded-Systemen geeignet, darunter:
- Hochspannungsschaltkreise: Für Schalter und Steuerung von Hochspannungsschaltkreisen.
- Hochleistungs-Anwendungen: In Hochleistungs-Anwendungen wie Elektrofahrzeuge, industrielle Steuerung und Stromübertragungssysteme.
- Steigerung der Stabilität: In Embedded-Systemen erhöht die Stabilität und Zuverlässigkeit des STW10N95K5 die Gesamtleistung des Systems.
Produktvorteile
Der Hauptvorteil des STW10N95K5 ist seine hohe Spannung und hohe Leistung, die eine höhere Energieeffizienz und Stabilität in Embedded-Systemen bietet. Die Zener-Schutzfunktion sorgt dafür, dass die Geräte auch bei Überspannung funktionieren und erhöht die Zuverlässigkeit und Verfügbarkeit des Systems. Gleichzeitig bietet das TO - 247 - Gehäuse eine gute Wärmeabwicklung und mechanische Festigkeit, die sicherstellt, dass das Gerät bei hohen Temperaturen und Hochdruckumgebungen eine gute Leistung beibehalten kann.
Die elektronischen Komponenten des Modells STW10N95K5 bieten vielfältige Anwendungsmöglichkeiten in Embedded-Systemen, insbesondere in Hochspannungsschaltungen und Hochleistungs-Anwendungen. Die hohen Spannungs - und Leistungsmerkmale erhöhen die Energieeffizienz und Stabilität des Systems und erhöhen die Gesamtleistung und Zuverlässigkeit des Systems.
Haftungsausschluss: Die auf dieser Seite bereitgestellten Informationen dienen ausschließlich zu Informationszwecken. Wir übernehmen keine Gewähr für die Richtigkeit oder Vollständigkeit der Informationen und haften nicht für Verluste oder Schäden, die sich aus deren Verwendung ergeben.
Das Modell STP120NF10 ist ein elektronisches Bauteil, das hauptsächlich in Batteriemanagementsystemen (BMS) eingesetzt wird. Als leistungsstarke integrierte Schaltung spielt der STP120NF10 eine wichtige Rolle im Batteriemanagementsystem für neue Energiefahrzeuge. Im Folgenden werden die Merkmale und technische Details dieses Modells beschrieben.
Oct 12, 2024STGW60V60DF ist ein hocheffizientes IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - Gerät, das weit verbreitet in neuen Energiegebieten, insbesondere in PV-Wechselrichter verwendet wird. Das Gerät wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Grillen-Gatter - Feldstop-Struktur entwickelt, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitung und Schaltverlust erzielt, um die Effizienz eines UHF-Wandlers zu maximieren.
Oct 11, 2024Das Modell M93C56 - WMN6TP ist eine elektronische Komponente, die hauptsächlich in Smart-Home - Systemen verwendet wird. Als nichtflüchtige Speicher (NVSRAM) verfügt er über effiziente Speicher - und Datenmanagementfähigkeiten und kann eine wichtige Rolle in Smart-Home - Systemen spielen.
Oct 11, 2024Das Modell STW10N95K5 ist ein N-Kanal - MOSFET-Leistungsgerät von STMicroelectronics mit einer Nennspannung von 950 V und einer typischen Impedanz von 0,65 Ω. Dieses Produkt hat das Potenzial, die Energieeffizienz und Stabilität in eingebetteten Systemen zu verbessern, insbesondere für Hochspannungsschaltungen und Hochleistungsanwendungen.
Oct 11, 2024