Deutsch
STP18N60DM2
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
STP18N60DM2 Verwandte Dokumente
STP18N60DM2 Weitere Informationen
Das Modell STP18N60DM2 ist ein Hochspannungs-N - Kanal-Leistungs - MOSFET von STMicroelectronics, das zur MDmesh DM2 - Familie von Schnellwiederherstellungsdioden gehört. Dieses Produkt spielt eine wichtige Rolle in der Kommunikationsbasisstation Stromversorgungssystem, die Effizienz und Zuverlässigkeit des Systems zu verbessern.
Produktparameter
- Spannungsbereich: 600V
- Widerstand: 0,260 Ω (typischer Wert)
- Strom: 12A
- Wiederherstellungslast: Qrr (sehr niedrig)
- Wiederherstellungszeit: trr (sehr niedrig)
Merkmale des Produkts
Das Hauptmerkmal des Leistungs-MOSFETs des Modells STP18N60DM2 ist seine sehr geringe Wiederherstellungsladung und Wiederherstellungszeit. Diese Eigenschaft macht dieses Produkt sehr effizient und zuverlässig im Stromversorgungssystem von Kommunikationsbasestationen. Kommunikations-Basisstation - Stromversorgungssysteme benötigen hocheffiziente Leistungs-MOSFETs, um eine stabile und hohe Effizienz der Stromversorgung zu gewährleisten. Die sehr geringe Wiederherstellungsladung und die Wiederherstellungszeit des Modells STP18N60DM2 bieten ihm einen großen Vorteil in dieser Anwendung.
Anwendungsszenarien
STP18N60DM2 Modell Leistungs-MOSFETs werden hauptsächlich in der Kommunikations-Basisstation Stromversorgungssysteme verwendet, um das Design von Strommodulen. Die Eigenschaften dieses Produkts ermöglichen eine sehr hohe Effizienz und Zuverlässigkeit im Stromversorgungsmodul. Kommunikationsbasestationen Stromversorgungssysteme benötigen hocheffiziente Stromversorgungsmodule, um eine stabile und hohe Effizienz der Stromversorgung zu gewährleisten. Die sehr geringe Wiederherstellungsladung und die Wiederherstellungszeit des Leistungs-MOSFETs des Modells STP18N60DM2 bieten ihm einen großen Vorteil in dieser Anwendung.
Technische Details
Die technischen Details des Leistungs-MOSFET - Modells STP18N60DM2 sind wie folgt:
- Spannungsbereich: 600V
- Widerstand: 0,260 Ω (typischer Wert)
- Strom: 12A
- Wiederherstellungslast: Qrr (sehr niedrig)
- Wiederherstellungszeit: trr (sehr niedrig)
Schlussfolgerungen
Das Leistungs-MOSFET des Modells STP18N60DM2 bietet eine sehr hohe Effizienz und Zuverlässigkeit im Stromversorgungssystem von Kommunikationsbasestationen. Die sehr geringe Wiederherstellungsladung und die Wiederherstellungszeit des Produkts bieten ihm einen großen Vorteil im Design von Strommodulen. Die Eigenschaften des STP18N60DM2 - Modell-Leistungs - MOSFETs spielen eine wichtige Rolle im Stromversorgungssystem der Kommunikationsbasisstation und erhöhen die Effizienz und Zuverlässigkeit des Systems.
Haftungsausschluss: Die auf dieser Seite bereitgestellten Informationen dienen ausschließlich zu Informationszwecken. Wir übernehmen keine Gewähr für die Richtigkeit oder Vollständigkeit der Informationen und haften nicht für Verluste oder Schäden, die sich aus deren Verwendung ergeben.
STP18N60DM2 Verwandte Dokumente
STP18N60DM2 Weitere Informationen
Der Aufbau und die Entwicklung von intelligenten Stromnetzen beruhen auf fortgeschrittenen Stromkommunikationstechnologien und leistungsstarken Leistungselektronikkomponenten. Feldeffektrohröhren (MOSFETs) sind ein wesentlicher Bestandteil des intelligenten Stromnetzes. Der STW15N95K5 ist ein hochleistungsfähiges N-Kanal - MOSFET mit einer Widerstandsspannung von 950 Volt und einer Stromkapazität von 12 Ampere. Diese Eigenschaft gibt es breite Anwendungsperspektiven im intelligenten Stromnetz.
Oct 11, 2024Das Modell STP150N10F7AG ist eine elektronische Komponente, die hauptsächlich zur Verbesserung der Stabilität von Datenkommunikationsgeräten verwendet wird. Dieses Modell ist ein STripFET-F7 - Serie N-Kanal - Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics mit sehr niedrigem ON-Zustand - Widerstand und hoher Stromfähigkeit.
Oct 11, 2024Das Modell STP18N60DM2 ist ein Hochspannungs-N - Kanal-Leistungs - MOSFET von STMicroelectronics, das zur MDmesh DM2 - Familie von Schnellwiederherstellungsdioden gehört. Dieses Produkt spielt eine wichtige Rolle in der Kommunikationsbasisstation Stromversorgungssystem, die Effizienz und Zuverlässigkeit des Systems zu verbessern.
Oct 11, 2024Das Modell STD9NM50N ist ein elektronisches Bauteil von STMicroelectronics, das hauptsächlich in effizienten Kühlsystemen für Rechenzentren verwendet wird. Dieses Modell spielt eine wichtige Rolle im Rechenzentrum und kann die Kühl - und Energieeffizienz des Rechenzentrums effektiv verbessern.
Oct 11, 2024