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STD2HNK60Z
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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STD2HNK60Z Weitere Informationen
In der Stromkommunikationstechnik spielt die Schottky-Gerichterungsdiode (MOSFET) STD2HNK60Z eine zentrale Rolle. Als Schottky-Grichterdiode in Kunststoffverpackung eignet sich die STD2HNK60Z für Ausgangsgrichter für Niederspannungs - und Hochfrequenzschaltnetzteile. Im Folgenden sind die wichtigsten Merkmale und Anwendungsszenarien von STD2HNK60Z aufgeführt.
Merkmale
- Geringer Spannungsabfall: Der STD2HNK60Z verfügt über einen geringen Spannungsabfall, der es ermöglicht, einen effizienten Spannungsabfall in Hochfrequenz-Schaltversorgungen zu liefern.
- Schnelle Umschaltung: Schnelle Umschaltfähigkeiten sind ein weiteres wichtiges Merkmal des STD2HNK60Z, das einen schnellen Schaltbetrieb in Hochfrequenz-Schaltnetzteilen ermöglicht.
- Zurückwärtsüberlastung: STD2HNK60Z verfügt über eine hohe Zurückwärtsüberlastung und kann höhere Ströme bei Rückwärtsspannung aushalten.
- Hohe Wärmezyklusleistung: STD2HNK60Z verfügt über eine hohe Wärmezyklusleistung und kann bei hohen Temperaturen kontinuierlich arbeiten.
- Niedriger Wärmewiderstand: Der niedrige Wärmewiderstand ermöglicht es STD2HNK60Z, bei hohen Temperaturen niedrige Temperaturen zu halten.
Einschränkten Wert
Die Grenzwerte für STD2HNK60Z werden nach IEC 134 berechnet, um sicherzustellen, dass sie in der Praxis funktionieren können.
Mechanische Daten
Die mechanischen Daten des STD2HNK60Z umfassen Informationen wie Größe, Montagetyp und Verpackung. Die Abmessungen sind 6,60 x 2,40 mm, die Montageart ist ein Plug-in und die Verpackung ist TO - 251 - 3.
Anwendungsszenarien
In der Stromkommunikationsgerät wird STD2HNK60Z hauptsächlich als Ausgangsgleicher verwendet. Durch seinen geringen Spannungsabfall in Richtung und seine schnelle Schaltfähigkeit bietet der STD2HNK60Z einen effizienten Spannungsabfall und einen schnellen Schaltbetrieb in Hochfrequenz-Schaltnetzteilen. Gleichzeitig ermöglicht die hohe Wärmezyklusleistung und der niedrige Wärmewiderstand des STD2HNK60Z eine kontinuierliche Arbeit bei hohen Temperaturen.
Technische Parameter
Die technischen Parameter des STD2HNK60Z umfassen Informationen wie Schwellenwertspannung, Transistortyp, Leistungsverlust, Ladeleistung, Ausfallspannung und Polarität. Seine Schwellenwertspannung ist 4,5 V, der Transistor-Typ ist N-Kanal, die Leistungsdiffusion ist 45 W, die Ladekapazität ist 15 nC, die Gate-Quelle - Ausfallspannung ist ± 30 V, die Polarität ist N-Kanal.
Arbeitstemperatur
STD2HNK60Z arbeitet mit einem Temperaturbereich von -55 °C ~ +150 °C und kann in einer breiten Temperaturumgebung arbeiten.
Verpackung
STD2HNK60Z ist TO - 251 - 3 und eignet sich für die Installation von Plug-Ins.
Anwendung von Schaltplätzen
Das Anwendungsschaltungsdiagramm von STD2HNK60Z zeigt im Detail seine spezifischen Anwendungs-Szenarien und Verbindungsmethoden in der Stromkommunikationsgeräte.
Datenhandbuch
Das Datenblatt für STD2HNK60Z bietet detaillierte technische Parameter und Anwendungsinformationen, um den Benutzern zu helfen, das Produkt besser zu verstehen und anzuwenden.
Zusammenfassung
In der Stromkommunikationsgeräte, STD2HNK60Z als Hochleistungs Schottky-Grichterdiode bietet niedrige Spannungsabfall in Richtung, schnelle Schaltfähigkeit, Umkehrung Überlastung und hohe Wärmezyklus-Leistung und andere Merkmale. Seine Anwendung in Hochfrequenz-Schaltversorgung kann die Effizienz und Stabilität der Stromversorgung verbessern. Durch das Verständnis der Eigenschaften, des Anwendungsszenarios und der technischen Parameter von STD2HNK60Z können wir dieses Modell besser anwenden und warten.
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