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STD20NF06T4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
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STD20NF06T4 Weitere Informationen
Das Modell STD20NF06T4 ist ein leistungsfähiges MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), das von STMicroelectronics entwickelt wurde. Diese Komponente soll die Effizienz von Hochgeschwindigkeits-Stromwandlern erhöhen und ist damit ein entscheidendes Element in modernen Stromumwandlungstechnologien. Der STD20NF06T4 wurde mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics entwickelt, der die Eingangskapazität und die Gateladung minimiert, wodurch die Schaltverluste reduziert und die Gesamteffizienz des Systems verbessert wird.
Hauptmerkmale der STD20NF06T04
- Spannung Rating: Der STD20NF06T4 ist für 60 Volt bewertet und eignet sich somit für eine Vielzahl von Anwendungen, die hohe Spannungshandhabungsfähigkeiten erfordern.
- Aktuelle Rating: Dieses Leistungs-MOSFET kann einen Gleichstrom von 24 Ampere bei einer Temperatur von 25 ° C bewältigen und sorgt für einen zuverlässigen Betrieb auch unter hohen Strombelastungen.
- Energie-Dispersion: Der STD20NF06T4 verfügt über eine maximale Leistungsausnahme von 60 Watt bei einer Temperatur von 25 ° C, was für Hochleistungsanwendungen unerlässlich ist.
- Pakettyp: Die Komponente ist in einem Oberflächenmontierungs-DPAK - Paket erhältlich, was eine einfache Integration in verschiedene elektronische Systeme ermöglicht.
- Schaltgeschwindigkeit: Der STD20NF06T4 ist für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen mit geringer Eingangskapazität und Gateladung ausgelegt, wodurch die Schaltverluste reduziert und die Effizienz des Systems verbessert wird.
Technische Details
Der STD20NF06T4 ist für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von -40 °C bis 150 °C ausgelegt. Dieser Temperaturbereich gewährleistet, dass die Komponente unterschiedliche Umgebungsbedingungen bewältigen kann, wodurch sie für den Einsatz in Anwendungen geeignet ist, in denen Temperaturschwankungen häufig vorkommen. Die Komponente verfügt zudem über einen niedrigen On-State - Widerstand (Rdson), der ein kritischer Parameter in Leistungs-MOSFETs ist. Der Rdson des STD20NF06T4 beträgt typischerweise rund 14 Milliohm, was im Vergleich zu anderen Leistungs-MOSFETs derselben Kategorie relativ niedrig ist. Dieser geringe On-State - Widerstand trägt zu niedrigeren Leitungsverlusten bei und verbessert somit die Gesamteffizienz des Systems.
Anwendungen
Der STD20NF06T4 ist besonders nützlich in Hochgeschwindigkeits-Stromumwandlungsanwendungen, wie:
- Stromversorgung: Die Komponente kann in Stromversorgungen für verschiedene elektronische Geräte verwendet werden, einschließlich Computern, Smartphones und anderer Unterhaltungselektronik.
- Motor-Antrieb: Der STD20NF06T4 eignet sich für Motorenantriebe in industriellen Anwendungen, bei denen Hochgeschwindigkeitsschalt und hoher Stromverarbeitung erforderlich sind.
- Erneuerbare Energiesysteme: Die Komponente kann in Systemen für erneuerbare Energien wie Solarmodule und Windturbinen eingesetzt werden, um Energie effizient umzuwandeln und zu regulieren.
Schlussfolgerung
Das STD20NF06T4 ist ein Hochleistungs-MOSFET, das eine hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit in Hochgeschwindigkeits-Stromumwandlungsanwendungen bietet. Sein einzigartiges Design und sein fortschrittliches Fertigungsprozess sorgen dafür, dass es hohe Spannungen und Ströme bewältigen kann und gleichzeitig niedrige Schaltverluste beibehalten kann. Der breite Temperaturbereich und der geringe Aufstandswiderstand der Komponente machen es zu einer vielseitigen Wahl für verschiedene elektronische Systeme. Mit seiner Fähigkeit, die Effizienz in Hochgeschwindigkeits-Leistungsumrichter zu steigern, ist der STD20NF06T4 eine wertvolle Ergänzung für das Arsenal von Leistungselektronik-Ingenieuren und - Designern.
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